TOSHİBA’DAN ENTEGRE DEVRE

Toshiba Qi Uyumlu, Düşük Isı Üretimli, Kablosuz Güç Alıcı Entegre Devreyi Tanıttı Birleşik CMOS-DMOS Süreci, Isı Oluşumunu Yüzde 30 Oranında Azaltır

Toshiba Electronics Europe, Qi Standardı1 Düşük Güç Spesifikasyonu Sürüm 1.1 ile uyumlu kablosuz güç alıcı entegre devresi olan TC7761WBG’yi tanıttı. Bu entegre devre (IC) akıllı telefonlar ve mobil aksesuarlar gibi kablosuz güç kaynağı uygulamalarında kullanılacak. Akıllı telefonlar gibi mobil uygulamalarda kullanılan IC’lerin, aşırı ısınmayı önlemek için ısıyı düşük seviyede üretmeleri zorunlıudur. TC7761WBG, birleşik CMOS-DMOS plaka süreciyle üretilmiştir ve eşdeğer bir ürüne2 göre ısı üretimini yüzde 70’e kadar keserken, yüzde 95 oranında güç dönüşüm verimliliği elde eder. IC’nin dahili protokol kimlik doğrulama devresi, yabancı nesne algılama (FOD) işlevini içerir, böylelikle harici bir mikroişlemci gereğini ortadan kaldırır ve basitleştirilmiş sistem tasarımlarına katkıda bulunur. TC7761WBG, 3.5W bir çıkış gücü için Qi sertifikasyonuna sahiptir ve maksimum 5W çıkış gücü işleyebilir.